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Typical Characteristics
5
450
I D = 3A
V DS = 5V
10V
f = 1 MHz
V GS = 0 V
4
3
2
1
0
15V
360
270
180
90
0
C RSS
C OSS
C ISS
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
8
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
1ms
10ms
6
1
100ms
1s
V GS = 4.5V
DC
4
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 180 o C/W
o
2
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 180°C/W
0.01
0.001
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC6401N Rev C (W)
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